Russian version
English version
ОБ АЛЬЯНСЕ | НАШИ УСЛУГИ | КАТАЛОГ РЕШЕНИЙ | ИНФОРМАЦИОННЫЙ ЦЕНТР | СТАНЬТЕ СПОНСОРАМИ SILICON TAIGA | ISDEF | КНИГИ И CD | ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | УПРАВЛЕНИЕ КАЧЕСТВОМ | РОССИЙСКИЕ ТЕХНОЛОГИИ | НАНОТЕХНОЛОГИИ | ЮРИДИЧЕСКАЯ ПОДДЕРЖКА | АНАЛИТИКА | КАРТА САЙТА | КОНТАКТЫ
 
Нанотехнологии
 
Для зарегистрированных пользователей
 
РАССЫЛКИ НОВОСТЕЙ
IT-Новости
Новости компаний
Российские технологии
Новости ВПК
Нанотехнологии
 
Поиск по статьям
 
RSS-лента
Подписаться
Nano-новости

Новая технология прямой печати транзисторов

В связи с широким и бурным развитием области нанотехнологий достаточно большое количество специалистов в области электроники предполагает, что существующую технологию метало-окисных полупроводников (complementary metal oxide semiconductor, CMOS) ожидает скорая «смерть». Конечно, у этого мнения есть и оппоненты. К примеру, доктор Ханс Сторк на состоявшемся недавно симпозиуме по нанотехнологиям (IEEE Nanotechnology Symposium) заявил о том, что технология CMOS еще длительное время останется основой электронной промышленности. С помощью современной технологии CMOS в массовом масштабе изготавливаются чипы по технологии 32 нм, начинают уже появляться чипы, изготовленные по технологии 22 нм, и исследователи многих компаний стремятся к освоению технологии 16 нм. Но, так как возможности современной технологии, основанной на дорогостоящем и медленном процессе литографии, приближаются к барьеру, то для сохранения темпов дальнейшего развития электроники требуются новые технологии и новые материалы.

Одним из последних событий в этой области стала разработка учеными из Института биоинженерии и нанотехнологий (Institute of Bioengineering and Nanotechnology, IBN) новой технологии производства дискретных полевых транзисторов, которая может стать более быстрой, более точной и более дешевой заменой процесса литографии. Новый процесс использует лучи, состоящие из потока электронов и ионов, с помощью которых на подложку, помещенных в среду со специально подобранным составом газов, наносятся элементы полупроводниковых структур. Согласно статье, опубликованной в журнале Nanowerk, один из разработчиков новой технологии, Соментаз Рой (Somenath Roy), утверждает, что пока новая технология лучше всего подходит для быстрого создания прототипов и моделей будущих электронных приборов, чем методы, основанные на литографии.

«Наша одноступенчатая технология позволяет избавиться от длительного и трудоемкого процесса литографии, она увеличивает точность изготовления, что положительно влияет на процент выхода готовых изделий» - говорит Рой Соментаз. «Более высокий уровень точности и более высокая производительность нового метода делают его идеальным решением для быстрого изготовления прототипов наноэлектронных приборов будущего».

Итак, для изготовления прототипов этот метод лучше, чем литография. А как обстоят дела с промышленным полномасштабным производством? Рой Соментаз предполагает, что «дальнейшая оптимизация технологии может привести к возможности промышленного производства электронных схем наноуровня».


  Рекомендовать страницу   Обсудить материал Написать редактору  
  Распечатать страницу
 
  Дата публикации: 30.06.2010  

ОБ АЛЬЯНСЕ | НАШИ УСЛУГИ | КАТАЛОГ РЕШЕНИЙ | ИНФОРМАЦИОННЫЙ ЦЕНТР | СТАНЬТЕ СПОНСОРАМИ SILICON TAIGA | ISDEF | КНИГИ И CD | ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | УПРАВЛЕНИЕ КАЧЕСТВОМ | РОССИЙСКИЕ ТЕХНОЛОГИИ | НАНОТЕХНОЛОГИИ | ЮРИДИЧЕСКАЯ ПОДДЕРЖКА | АНАЛИТИКА | КАРТА САЙТА | КОНТАКТЫ

Дизайн и поддержка: Silicon Taiga   Обратиться по техническим вопросам  
Rambler's Top100 Rambler's Top100