Японская компания Elpida Memory, Inc., являющаяся третьим по счету мировым производителем микросхем динамической оперативной памяти (Dynamic Random Access Memory, DRAM), объявила о разработке и производстве первых опытных образцов быстродействующей энергонезависимой резистивной памяти (Resistance memory, ReRAM). Опытные образцы, изготовленные с использованием 50-нанометровой технологии, имеют емкость 64 Мбит, показатель плотности хранения информации в этих чипах является самым высоким на сегодняшний день среди модулей памяти ReRAM.
Первые образцы памяти ReRAM были разработаны специалистами компании Elpida Memory совместно со специалистами японской общественной исследовательской организации New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO), финансируемой японским правительством. Дальнейшие же работы по совершенствованию технологии ReRAM будут проводиться с участием специалистов и ученых из компании Sharp Corporation, японского Национального института AIST (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology) и Токийского университета.
Память ReRAM является технологией создания полупроводниковой памяти с произвольным доступом следующего поколения. В ее основе лежат ячейки, созданные на базе меристоров, иготовленных из материала, изменяющего свое электрическое сопротивление под влиянием протекающего через него электрического тока. Привлекательность такой памяти заключается в высокой скорости операций записи и считывания информации, и, так же, в ее энергонезависимости. Т.е. память ReRAM помнит записанные данные даже при отключении питающего напряжения.
Память ReRAM является новым типом памяти, сочетающим в себе все наилучшие свойства динамической памяти DRAM и флэш-памяти. Скорость записи информации в память ReRAM составляет порядка 10 наносекунд, что сопоставимо с аналогичным показателем DRAM-памяти, а количество циклов записи информации в десятки раз превышает показатель флэш-памяти.
Компания Elpida планирует к 2013 году начать массовое производство чипов памяти ReRAM, имеющих гигабитные емкости и выполненные по 30-нм технологическому процессу. Благодаря появлению на рынке такой быстродействующей энергонезависимой памяти следует ожидать резкого снижения цен на смартфоны, планшетные компьютеры и SSD-диски, которые, к тому же будут расходовать меньшее количество энергии. А компания Elpida, тем временем, еще занимается разработками, направленными на дальнейшее совершенствование или замену технологии динамической памяти DRAM.
