Несмотря на все усилия, OLED-дисплеи по цене пока не могут сравниться с жидкокристаллическими аналогами, хотя на заре становления органических светодиодов именно потенциально низкая стоимость была одним из основных стимулов их бурного развития. В последние годы низкая стоимость производства OLED-дисплеев в основном ассоциируется с массовым прозводством по средствам струйной печати, что в частности делает возможным создание OLED-дисплеев на гибких подложках. Однако до сих пор получение полевых транзисторов (точнее их массивов - TFT) для управления светодиодами (эта технология хорошо знакома благодаря рекламным буклетам модных и дорогих мобильных телефонов под аббревиатурой AMOLED) тем же доступным методом струйной печати оставалась существенной проблемой.

Свою лепту в решение данной проблемы внес коллектив исследователей из Университета Калифорнии (Лос Анджелес) вместе со своим дочерним стартапом, который предложил использовать ОУНТ для создания канала проводимости в обратносмещенном полевом транзисторе. Полученный транзистор полностью справился с возложенными на него обязанностями по управлению светодиодом, о чем свидетельствуют вольтамперная характеристика, на которой хорошо различимы область отсечки и триодная область при различных напряжениях на затворе.

Для реализации более сложной схемы (2T1C) необходимо обратносмещенный полевой транзистор превратить в транзистор с верхним затвором, например, путем нанесения дополнительного слоя полиэтиленимина/перхлората лития. Примечательно, что авторы впервые нанесли слой изолирующего полимера на канал проводимости, покрыв его лишь частично. Это привело к появлению трех областей с различным типом проводимости, что при определенном напряжении делает возможным межзонное туннелирование (полное покрытие канала проводимости приводит лишь к n-типу проводимости).

Дизайн и поддержка: Silicon Taiga

Обратиться по техническим вопросам